一级二级三一片内射视频,欧美亚洲国产精品三级,特级黄片一区二区三区,久久婷婷国产综合精品

Intel三大關鍵領域新突破 晶體管縮小50％封裝密度提升10倍

來源：快科技

在日前的2021 IEEE IDM(國際電子器件會議)上，Intel公布、展示了在封裝、晶體管、量子物理學方面的關鍵技術新突破，可推動摩爾定律繼續(xù)發(fā)展，超越未來十年。

據(jù)介紹，Intel的組件研究團隊致力于在三個關鍵領域進行創(chuàng)新：

一是通過研究核心縮放技術，在未來產(chǎn)品中集成更多晶體管。

Intel計劃通過混合鍵合(hybrid bonding)，解決設計、制程工藝、組裝難題，將封裝互連密度提升10倍以上。

今年7月的時候，Intel就公布了新的Foveros Direct封裝技術，可實現(xiàn)10微米以下的凸點間距，使3D堆疊的互連密度提高一個數(shù)量級。

未來通過GAA RibbonFET晶體管、堆疊多個CMOS晶體管，Intel計劃實現(xiàn)多達30-50％的邏輯電路縮放，在單位面積內容納更多晶體管。

后納米時代，也就是埃米時代，Intel將克服傳統(tǒng)硅通道的限制，用只有幾個原子厚度的新型材料制造晶體管，可在每個芯片上增加數(shù)百萬各晶體管。

二是新的硅技術。

比如在300毫米晶圓上首次集成基于氮化鎵的功率器件、硅基CMOS，實現(xiàn)更高效的電源技術，從而以更低損耗、更高速度為CPU供電，同時減少主板組件和占用空間。

比如利用新型鐵電體材料，作為下一代嵌入式DRAM技術，可提供更大內存容量、更低時延讀寫。

三是基于硅晶體管的量子計算、室溫下進行大規(guī)模高效計算的全新器件，未來有望取代傳統(tǒng)MOSFET晶體管。

比如全球首例常溫磁電自旋軌道(MESO)邏輯器件，未來有可能基于納米尺度的磁體器件制造出新型晶體管。

比如Intel和比利時微電子研究中心(IMEC)在自旋電子材料研究方面的進展，使器件集成研究接近實現(xiàn)自旋電子器件的全面實用化。

比如完整的300毫米量子比特制程工藝流程，不僅可以持續(xù)縮小晶體管，還兼容CMOS制造流水線。

標簽： Intel GPU市場 顯卡產(chǎn)品 價格優(yōu)勢

推薦

財富更多》

動態(tài)更多》

熱點

如皋市| 郴州市| 宽城| 北安市| 桐乡市| 竹北市| 漯河市| 滁州市| 盐池县| 始兴县| 文山县| 永和县| 绥化市| 江油市| 略阳县| 闸北区| 新郑市| 商水县| 防城港市| 邓州市| 吴川市| 铜川市| 保亭| 建平县| 米泉市| 新兴县| 自治县| 林州市| 扎兰屯市| 襄樊市| 中超| 遂宁市| 杭锦旗| 麻栗坡县| 渝北区| 平顺县| 溧阳市| 台中县| 鹰潭市| 新余市| 景谷|